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當前，隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷微縮，先進(jìn)的集成電路器件已從平面向三維結構轉變，集成電路制造工藝正變得越來(lái)越復雜，往往需要經(jīng)過(guò)幾百甚至上千道的工藝步驟。對于先進(jìn)的半導體器件制造，每經(jīng)過(guò)一道工藝，硅片表面都會(huì )或多或少的存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益復雜性，使得半導體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數量越來(lái)越敏感。

對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求，其關(guān)鍵點(diǎn)在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力，目前很多半導體廠(chǎng)家的清洗方式都是酸洗、人工擦拭，效率慢不說(shuō)，還會(huì )產(chǎn)生二次污染。那目前什么樣的清洗方式比較適合在半導體產(chǎn)品上的清洗呢?激光清洗是目前來(lái)說(shuō)比較合適的一種方式，當激光掃描過(guò)去，材料表面的污垢都被清除，而且對于縫隙中的污垢都可以輕松得去除，不會(huì )刮花材料表面，也不會(huì )產(chǎn)生二次污染，是一種放心的選擇。

另外，隨著(zhù)集成電路器件尺寸持續縮小，清洗工藝過(guò)程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問(wèn)題，將微粒去除而又沒(méi)有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無(wú)熱效應，不會(huì )對被清洗物體產(chǎn)生表面損壞，且不會(huì )產(chǎn)生二次污染等傳統清洗方法所無(wú)法比擬的優(yōu)勢，是解決半導體器件污染******的清洗方法。